深圳市前海中鹏光电科技有限公司

IRF640NSTRLPBF  规格：

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（z大 Rds On，z小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（z大值）
150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（z大值）
4V @ 250μA
Vgs（z大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（z大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
漏源电压（Vdss）
200 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（z大值）
67 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（z大值）
1160 pF @ 25 V
基本产品编号
IRF640

深圳市前海中鹏光电科技有限公司介绍:

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