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发布时间： 2021/6/5 13:18:53 | 88 次阅读
LND150N3-G-P003 规格：
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30mA（Tj）
驱动电压（z大 Rds On，z小 Rds On）
0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（z大值）
1000 欧姆 @ 500μA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（z大值）
-
Vgs（z大值）
±20V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（z大值）
740mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
漏源电压（Vdss）
500 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（z大值）
10 pF @ 25 V
基本产品编号
LND150
深圳市前海中鹏光电科技有限公司介绍:
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