发布时间: 2021/3/22 14:32:36 | 191 次阅读
STD11N65M5 规格:
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
480 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
5V @ 250μA
Vgs(大值)
±25V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
85W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
漏源电压(Vdss)
650 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
17 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
620 pF @ 100 V
基本产品编号
STD11
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