发布时间: 2021/4/7 13:01:51 | 131 次阅读
IPD06N03LA G 规格:
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
5.7 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
2V @ 40μA
Vgs(大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
漏源电压(Vdss)
25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
22 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
2653 pF @ 15 V
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